物联网电池又没电了?优化这个模式很关键!

物联网电池又没电了?优化这个模式很关键!

关键词:  物联网, 传感器, 电池寿命

问:物联网 ( IoT ) 传感器节点应用中,什么是睡眠模式或船舶模式?

在典型的IoT物联网系统中,传感器节点大部分保持在睡眠模式或船舶模式,只有在需要数据采集时才会切换到活动模式。为了更好地节能,我们需要改善物联网睡眠模式或船舶模式下的电流,从而最大限度地延长电池寿命。

图1.物联网系统的典型拓扑图

船舶模式与睡眠模式

大多数情况下,传感器节点保持在睡眠模式或者船舶模式。我们先来了解一下这两种模式:

船舶模式,可延长产品装运阶段的电池寿命。在船舶模式下,电池与系统其余部分断开电气连接,以在产品闲置或未使用时将功耗降至最低。

在睡眠模式,系统的所有外围设备要么关闭,要么以最低功率要求运行。物联网设备定期醒来,执行特定任务,然后返回睡眠模式。

通过禁用无线传感器节点的各种外围设备,可以实现不同的睡眠模式。例如,在调制解调器睡眠中,仅禁用通信块。在浅睡眠模式下,包括通信块、传感器块和数字块在内的大多数块都被禁用,而在深睡眠模式中,无线传感器节点完全断电。

在传感器节点中启用深度睡眠模式可以最大化电池寿命;因此,优化深度休眠电流是提高整体电池寿命的唯一方法。

相关产品:

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别让这根线毁了你的天线

关键词: 射频, 线缆

问:电缆长度会影响天线的性能吗?

电缆长度肯定会对天线的功能产生很大影响。理想情况下,您希望设计符合设计要求的电缆,而不是牺牲电缆放置或数据丢失。

对于设计而言,过长的电缆不仅会占用宝贵的空间,还会导致电缆损耗,当电力通过电缆传输至终端点时,信号会损耗。电缆损耗以特定频率下每单位长度的分贝为单位进行测量,损耗量与电缆长度成正比。

由于电缆的内部条件或外部因素(如环境),电缆损耗的原因多种多样:

辐射损耗: 来自不适合数据传输的劣质电缆。幸运的是,辐射损失不会导致大量数据丢失

介质损耗: 是由于电缆内部的热量造成的。

电阻损耗: 是因为导体和电流导致电阻。

老化 : 随着时间的推移,损耗是由磨损造成的。可能是潮湿、风化、弯曲等。

为了最大限度地减少数据丢失,最好设计合适长度的优质电缆。您可以在Digi-Key的 同轴电缆(RF) RF 天线中找到产品。

更多有关天线的技术信息, 请查看以下内容:

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对照一下,你了解几种电阻?

作者:Barley Li

关键词:规格,选料

电阻的成分属性描述了制造电阻本身的材料,而不是安装电阻的外部封装材料或基板。不同的成分意味着结构上存在一些差异,并导致有不同特征,使某些类型更适合某些应用,又或不適用於某些环境。

图1:各种1KΩ电阻。即使不同电阻具有相似成分,但它们在功率和电阻额定值之间可能存在的物理尺寸变化

碳化物电阻

碳化物电阻是由含碳化物材料制成的块体类型,该材料是通过将粉末状碳与粉末状陶瓷或其他耐温电绝缘材料以及有机粘合剂混合而成。电流通过网状的碳颗粒网络流动,这些碳颗粒在整个散装材料中相互接触;通过增加所用绝缘体的比例,这种导电网变得更细,材料的电阻率增加。早期的例子是简单地把两根电绕线在一个圆筒上,然后涂上油漆以指示电阻值并提供一定程度的保护。更现代的例子通常被封装在酚醛树脂外壳中,为引线提供了安装功能,并为碳化物材料提供了一个容器,其特征类似于铅笔芯。

在20世纪60年代左右,由于成本的原因,它们仍然被普遍使用了几十年,尽管从那时起,这种优势基本上消失了。碳化物电阻体积庞大;目前碳化物电阻的体积可能是其他技术中类似等级产品的十倍。它们不精确。目前示例的公差低至5%,但该数字仅指制造中的公差变化。它没有考虑其他可能会影响产品测量值的因素: 湿度/湿度可能会导致10%左右的公差变化,温度可能会导致10%左右的公差变化。由于这些敏感性,在生产过程中尝试将其调整到精确值几乎没有意义。它们是最常见的电阻技术,几乎只存在于通孔封装中。形成其成分的碳是可燃的,因此在持续过载或发生故障时,它们经常会着火,并且它们的最高工作温度显著低于许多其他电阻技术。

图2:碳化物电阻示例(Ohmite OD系列

尽管如此,由于其块体结构,碳化物电阻在电气上非常坚固,并且往往对静电放电等高强度、短期过载事件具有异常的耐受性。在这方面,碳化物电阻通常比其他技术更坚固,达到一到两个数量级。在其封装的限制范围内,它们还表现出相对较低的寄生电感,这在涉及快速瞬变的情况下通常是非常理想的。对于高度重视这些强度并能容忍其他缺陷的有限应用,碳组成电阻是一个合理的选择。然而,在大多数情况下,其他类型的电阻将更好地服务于应用。

碳膜电阻

碳膜电阻是一种薄膜类型的电阻,使用碳作为电阻材料生产。与碳化物电阻相比,碳膜电阻的一个重大改进是 : 它们放弃了对电气稳健性的测量,以提高精度、稳定性、小型化,并改善电流噪声特性。其他薄膜型电阻倾向于进一步往这个方向发展,或者在这样做的同时获得更好的价格,这或許是目前设计的首选。这一偏好的部分原因还在于碳相当易燃,而一般的替代品则不那么易燃,而且产品出现问题时避免起火是相当普遍的。

随着通孔类型的普及,碳膜电阻的普及似乎也在减少。虽然后者仍在使用,其他类型的薄膜电阻现在也采用通孔封装,但表面贴装碳膜电阻很少。

图3:碳膜电阻示例(TECFR200系列

陶瓷电阻

陶瓷电阻是基于其使用由陶瓷或陶瓷合成材料形成的电阻,这与其他电阻类型不同,后者可能在其结构中使用陶瓷材料,但不是电流流过的主要材质。它们是一种与碳化物电阻非常相似的块体电阻,具有类似的脉冲耐受性、无电感特性。事实上,由于粉末陶瓷经常被用作碳化物电阻的一个组成部分,这两者在分类上存在一定程度的重叠。然而,可以根据所使用的导电材料和将合成材料混合在一起的方式进行区分;碳化物电阻仅将碳用作导电介质,并使用有机粘合剂将其连接在一起,而陶瓷合成材料可包含金属或金属氧化物等其他导电材料,并通过烧结或热熔工艺将其连接在一起。“金属陶瓷”(Cermet)是电位器中常用于此类材料的术语。相对于它们所取代的碳化物电阻,陶瓷电阻能够在显著更高的温度下工作,尽管它们也往往表现出更大的温度系数;这种组合,往往可转化为产品工作范围内30%左右的电阻变化。因此,它们不太适合小信号使用,因此主要用于额定功率至少大于1瓦特的场合。

图4:陶瓷电阻示例(OhmiteOX系列

金属元素电阻

具有“金属”成分的电阻使用大块金属材料作为电阻材料,并且通常应用于远低于1欧姆的电阻。它们主要用于电流测量应用中,在这种应用中,稳定、已知的低值电阻能够准确测量大电流,而不会造成过大的电压降和功率损耗。通常被称为分流电阻(shunt),它们通常具有4引线端接,以实现开尔文式测量,从而允许测量电阻上出现的电压,且与产品连接点处的接口电阻之间的干扰或误差最小。

图5:电阻示例:表面安装(左)和底座安装(右)的金属(不按比例)

金属膜电阻与薄膜电阻

金属膜电阻薄膜电阻基于类似的生产技术,其中电阻成分由通过气相沉积工艺施加到陶瓷基板上的金属薄(通常为微米级)膜层形成,然后修整至所需的电阻值。“金属膜电阻和薄膜电阻之间的区别似乎是一个语境;在通孔电阻中,“金属膜”电阻似乎更常见,其中碳膜电阻是替代品,而在芯片格式电阻中,“厚膜”可能是替代品,而“薄膜”似乎是首选。“薄膜”似乎是更倾向于精确聚焦产品的术语,而“金属膜”似乎更常用于通用应用。

与碳膜产品相比,金属膜电阻/薄膜电阻在精度、稳定性和噪声性能方面取得了进一步的进步,通常也意味着主要对于浪涌事件需要花费进一步的成本。电阻成分的总质量足够小,因此此类产品容易受到静电放电的损坏,更小的封装尺寸和更高的电阻值会增加静电引起损坏的可能性。这种少量的成分质量也使得薄膜电阻特别容易受到化学侵蚀,因次材料少量的损失或经过化学转化从而导致失效。

总的来说,薄膜/金属膜电阻是需要精度和参数稳定性且成本适中的应用的首选技术。尤其是在表面贴装封装形式中,它们还因其低电感特性而备受青睐,并经常用于高速电路中。

图6:表面贴装封装中的薄膜电阻示例(Panasonic ERA-3A系列

金属箔电阻

金属箔电阻是由附着在绝缘基板上的相对较厚(几微米或更多)的金属箔制成的。在撰写本文时,当需要精度和稳定性时,它们是首选技术,其公差可低至±0.005%,温度系数低于1 PPM/°C。其他电阻的功耗等级为几瓦或几十瓦,同时随时间和温度保持极好的稳定性;此类电阻非常适合用于贸易相关的计量和其他应用,在这些应用中,在一系列条件下保持精度非常重要。

图7:金属箔电阻示例(VishayVHP100系列

金属氧化膜电阻

金属氧化膜电阻是一种薄膜型电阻,其中电阻成分由某种金属的氧化物而不是金属本身形成。本质上,金属氧化物是母体金属再氧气中燃烧残留的产物,可以预见,这些材料相当耐高温;因为很难点燃已经完全燃烧的东西……金属氧化物电阻的主要优点来源于这种特性;与通常的碳膜和金属膜电阻相比,它们具有更高的最高工作温度和更好的脉冲负载处理特性。初始公差与碳膜产品中的公差相当,氧化膜产品提供较低的温度系数;与氧化膜产品相比,金属膜产品在这两方面都有所改进。与碳基电阻相比,氧化膜电阻有望提供更好的噪声特性,尽管不如金属膜类型提供的那样好。在额定功率为1 – 5瓦的通孔封装中最常见的情况是,氧化膜技术通常用于产生10 MΩ及更高范围内的非常高的电阻值,尽管可提供从小于1欧姆级到更高电阻值的全范围产品。

图8:金属氧化膜电阻示例(YageoMFR系列

厚膜电阻

厚膜电阻,其中电阻成分通过类似于丝网印刷的方法沉积在基板上。这种工艺的成本比薄膜沉积低,而且成分的厚度通常为几十到几百微米。虽然 “薄” 和 “厚” 薄膜产品之间的实际成分厚度可能会发生重叠,但沉积方法是区别的要素。

厚膜电阻中的成分所用的糊状材料包含一种精细划分的电阻材料和一种更具电绝缘特性的材料的混合物,经烘焙后,该材料固化成具有类似于碳化物电阻的导电网状微结构的玻璃状物质。材料的差异和使用热熔合工艺代替有机粘合剂产生的电阻成分明显低于碳化物电阻,且在参数上更稳定,但与许多其他电阻成分相比,仍然相对噪音大且对温度敏感。然而,电阻成分的总质量往往比碳化物电阻小得多,因此厚膜电阻确实有可能对ESD和类似瞬态现象的损坏敏感,尽管它们可以提供远高于碳化物电阻的最高工作温度。为达到最终值而采用的修整方法和所用厚膜组合物的具体配方对终端电阻的稳健性有很大影响,通常比薄膜电阻的稳健性会差一点。

厚膜电阻主要以表面贴装形式存在,目前作为一种通用电阻占据主导地位,非常适合于需要较低成本(相对于薄膜电阻)且噪声增加和稳定性要求不高的应用。例如,此类应用可能包括用于小型指示灯LED的镇流器电阻或用于逻辑信号的上拉电阻。

图9:厚膜电阻示例(OhmiteHVC系列

绕线电阻

绕线电阻以绕线的方式构造,主要以通孔和底座安装的形式存在。它们的特点是低电流噪声、良好的短期过载耐受性,并且通常存在非常显著的寄生电感,在某些产品中,寄生电感通过使用贴别的绕线配置来缓解。不同产品,公差和温度系数各不相同;可以实现设计精度低于0.1%的公差和温度系数为几十PPM/°C的产品,尽管在撰写本文时,多个可用产品的指定公差更接近1%和200PPM/°C或更低。

图10: 2.5kW绕线电阻(TETE系列

总结

电阻是电子电路中应用数量很多的元件,我们根据电路要求,选择合适的电阻器来优化电路中调节和稳定电流与电压,使设计在应用中获得更精确可靠的结果。

更多电阻技术的文章,请点击以下链接:

小编的话:

相信通过这篇文章详细的介绍,大家对电阻有了更进一步的了解。小小的电阻,也有这么多基于材料科学的分类。充分了解这些材料电阻的特性,就可以在电路设计中进行准确的选型。您在电路设计中对电阻的选型有哪些问题、心得或经验?欢迎分享和交流!

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一周新品推荐:RECOM RS3E系列 DC/DC转换器和ST的STM32U5系列超低功耗MCU

产品一: RECOM RS3E系列 DC/DC转换器

RS3E系列是RECOM推出的采用工业标准SIP8封装和引脚的 DC/DC转换器。该模块的额定功率为3W,无降额情况下工作温度可至70°C,具有2:1的输入电压范围:4.5-9V、9-18V、18-36V以及36-72V,稳压输出为3.3V、5V、9V、12V、15V以及24V。转换器的隔离电压为3kV/1分钟。

该系列模块已通过IEC/UL/CSA 62368-1安全认证,工作海拔最高可达5000m,同时满足EN 55032/FCC class B和EN 55035 EMI标准。RS3E系列具备短路保护、MTBF等级达到180万小时和一个输入控制以设定低功耗停机模式。

RS3E系列非常适合中高度复杂的高密度电源设计,以及苛刻的工业应用。

产品特性

  • 3W额定功率
  • 2:1宽电压输入范围
  • -40°C至+70°C(满载)工作范围
  • IEC/EN62368-1第二版和第三版认证
  • UL/CSA/CAN 62368-1认证
  • 工业标准引脚排列(SIP8)
  • 低成本

应用范围

  • 工业
  • IIoT
  • 高功率密度电源
  • 电池驱动的设备
  • 机器人

产品二:ST的STM32U5系列超低功耗MCU

STM32U5系列是ST推出的基于Arm® Cortex®-M33内核的低功耗高级微控制器,可以满足智能应用所需的严苛的功耗与性能要求,这些应用包括可穿戴设备、个人医疗器械、家庭自动化和工业传感器。

STM32U5微控制器系列内置高达2MB的闪存(双BANK架构)与786 KB的SRAM,有助于提升性能至新的水平。

STM32U5拥有8种封装选项(48~169个引脚)和众多产品料号,同时还支持高达125°C的环境温度下工作。

STM32U5具有出色的低功耗性能,采用创新的自主管理模式 LPBAM(低功耗后台自主模式),该模式支持低功耗模式下直接存储器访问(即LPDMA低功耗DMA),此时器件的大部分外设处于停机模式的情况,仅保持特定外设工作,从而节省功耗,关断模式下110 nA, 运行模式下,电流功耗低至19 µA/MHz。

同时,STM32U5系列基于STM32L5 MCU的网络安全功能,将集成了ARM TrustZone®技术的Arm Cortex-M33内核与意法半导体特定的安全功能集有机融合,引入了先进的创新成果,增强了安全性。

产品特性

  • 确保更强的应用响应能力:
    Arm Cortex-M33的运行频率达160 MHz
    全新的意法半导体 ART加速器:在内部和外部闪存(支持8 KB的指令缓存)中均可工作
    拥有240 DMIPS和651 CoreMark性能得分
  • 高达0.5 Mb的片上闪存可延长周期寿命,高达100,000的读/写周期以确保用户数据的可靠存储
  • 高集成度与创新:支持ECC的Flash与SRAM大容量存储器,带功率输出控制器的USB Type-C,CAN FD,14和12位ADC模块,多功能数字滤波器(MDF)和音频数字滤波器(ADF)
  • 丰富的产品组合:8种封装类型(LQFP48、QFN48、LQFP64、WLCSP90、LQFP100、UFBGA132、LQFP144和UFBGA169)

适用范围

  • 可穿戴设备
  • 个人医疗器械
  • 家庭自动化
  • 工业传感器

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推荐一款KEMET 5G噪声抑制片:可抑制电磁波和共振,以及电子设备噪音

KEMETFLEX SUPPRESSOR 是一种复合片材,是将微米级磁性材料粉末在聚合物基体中进行混合、分散制成的。这种片材可有效抑制电磁波和共振,改善磁通量收敛,并可切割成各种形状和尺寸。

图:用于 Wi-Fi 频段和超高频 (SHF) 中 5G 频段的 KEMET FLEX SUPPRESSOR®

KEMET Electronics 5G 噪声抑制片支持 3 GHz 至 40 GHz 的频率范围,并提供 0.1 mm 至 1 mm 的厚度。标准尺寸为 240 mm x 240 mm,FG1 或 FS 系列也提供卷材。这些片材可抑制电磁波和共振,并会抑制电子设备产生的噪音。KEMET 5G 噪声抑制片可以减少 FM 收音机、数字电视和光收发器内部的伪微波范围干扰。

产品优势

  • 提供 MHz 频段至 GHz 频段的宽频率范围
  • 可用于 Wi-Fi 频段(EFG2 和 FG1)
  • 可用于 SHF 频段(EFS 和 FS)
  • 用于便携式设备的薄柔性材料
  • 可用于任何地方
  • 安装所需时间较少
  • 易于切割成各种形状
  • 符合 RoHS 标准,为无卤产品
  • 阻燃:UL94 V-0 等级

适用范围

  • 移动电话、显示器、数码相机、数码摄像机、笔记本电脑和平板电脑以及汽车信息娱乐系统
  • 防静电放电 (ESD)
  • 电子器件内部或之间的准微波范围干扰抑制;降低 FM 无线电、数字电视、LTE、GPS、Wi-Fi、Bluetooth® 和光收发器的灵敏度
  • 更强的无线功率传输

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搞清这个噪声 这两类电阻就容易选了

关键词: 电流噪声,电阻

问:薄膜电阻与厚膜电阻 – 电流噪声比较

电流噪声是我们不希望的宽频谱信号,可以叠加在任何有用的信号上,包括DC直流信号。与其他无源元件一样,电阻也是不同程度的噪声源,具体取决于电阻值、温度、施加电压和电阻类型。

下面就从电流噪声的角度来把薄膜电阻厚膜电阻的差异给讲透。

概括来说:薄膜电阻比厚膜电阻在电流噪声上更有优势

 薄膜电阻与厚膜电阻,电流噪声比较

下面我们以YageoRC电阻举例,从微观结构角度上,更好的说明了薄膜电阻与厚膜电阻,在电流噪声上的区别。

图1薄膜电阻和厚膜电阻结构的差异(图片来源于Yageo)

对于薄膜电阻: 如上图所示,从薄膜电阻的电阻层的微观结构来看,只有金属颗粒堆叠在一起形成精细的金属膜。当电子在导电金属层中移动时,它们可以从一个或多个导电晶格转移到另一个晶格,并在没有任何阻碍的情况下形成电流,这有助于防止噪声产生。

对于厚膜电阻: 如上图所示,电阻层的材料由金属和玻璃材料制成。玻璃材料是不导电的,所以电子不能穿过玻璃颗粒。电流的方向因这些玻璃颗粒而改变,并成为电流噪声的来源。

 薄膜电阻和厚膜电阻,噪声测量结果

下图是薄膜电阻和厚膜电阻的噪声测量结果(数据来源于Yageo)。在不同频率的噪声水平下,薄膜电阻比厚膜电阻有更低的电流噪声。

图2 薄膜电阻和厚膜电阻,噪声差异(图片来源于Yageo)

对于一些音频放大电路,薄膜电阻的低电流噪声特性是一个比较理想的方案,因为这类电路需要较低的失真,才能达到较高的音质。

更多电阻技术信息, 请查看以下内容:

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掌握4个要点 不再担心选错开关电源!

关键词: 规格

问:选择开关电源时的注意事项

下面是选择开关电源时的一些注意事项:

  1. 为了提高开关电源的可靠性,建议选择额定功率比实际电路所需功率多30%左右的产品。
    例如,如果系统需要100W的电源,你可以选择输出功率为130W或以上的开关电源。如此一来,即可有效提高系统设计中开关电源的可靠性。
  2. 请注意开关电源的环境温度,并检查是否有用于散热的附加器件,如风扇或散热器。
    如果开关电源在高温环境下工作,则需要降低输出功率。环境温度与输出功率的降额曲线通常包含在规格书中,例如下图中来自MeanWellDPU-3200系列3200W单输出交流/直流电源。
  3. 你的应用中需要哪些功能呢?
    保护功能:过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、过载保护(OLP)、短路保护等。 应用功能:信号功能(电源正常、电源故障)、遥控、遥感等。 特殊功能:功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)功能
  4. 请确保所使用的型号符合你所在地区的安全标准和EMC法规。

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两步走 解决开关电源输入过压的烦恼!

作者:DIGIKEY

关键词: 电源管理, 电路设计

输入过压是由电网负载的巨大波动引起的。例如,在用电高峰期,电压通常较低,而在设备关闭时,电压则较高。

电网电压幅值的实际变化范围随着电网容量、输配电设备质量、用电量以及其他因素的变化而变化很大。在拥有完善电源系统的城市和工业区里,变化范围通常只有 ±15% 左右(最大值不超过 264 VAC)。如果确实超过 264 VAC,电源可能会损坏,甚至导致设备跳闸和/或引发火灾,对安全和财产造成威胁。

但是,在供电条件差的国家和地区,或者电网中存在负载变化大的设备的场合,如山区、高速公路隧道、充电站、发电机供电等,变化范围就大得多。有时变化范围可以达到 20%~30%(最大值可以达到 274~299 VAC)。

图 1:恶劣工作环境下的电压波形。(图片来源:Mornsun Power

输入过压下电源元器件的电压应力分析

以图 2 中的反激式开关模式电源为例,分析当输入电压达到 305 VAC 时,如何根据电压应力选择合适的元器件。

图 2:反激式开关模式电源。(图片来源:Mornsun Power)

1.保险丝 F1 的标称电压选择

保险丝的标称电压必须大于或等于关断电路的最大电压。由于保险丝的电阻非常低,只有在试图中断电流时,其标称电压才变得重要。当保险丝元件熔断时,保险丝必须能够迅速断开,熄灭电弧,并防止开路电压通过断开的保险丝元件再次引发电弧。

保险丝的常用规格为 125 V、250 V、300 V 和 400 V。为了应对输入电压的大幅波动,应选择 300 V 的保险丝。

2.压敏电阻 RV1 的标称电压选择

在实际应用中,压敏电阻 RV1 在电路中一般是并联连接。当电路正常工作时,压敏电阻处于高阻状态,这不会影响电路的正常工作。当电路出现异常瞬时过压并达到其导通电压(压敏电阻电压)时,压敏电阻迅速从高阻状态变为低阻状态,将异常瞬时过压引起的瞬时过流排放掉,并将异常瞬时过压钳制在安全水平内,从而保护后续电路避免因异常瞬时过压而受损。

压敏电阻的常见规格如下:


压敏电阻编号

压敏电阻电压范围

最大连续交流工作电压

最大连续直流工作电压

最大极限电压

S10K300

423 V 至 517 V

300 VAC

385 VDC

775 V

S10K350

504 V 至 616 V

350 VAC

455 VDC

925 V

表 1:S10K300 和 S10K350 的压敏电阻电压规格。(图片来源:Mornsun Power)

压敏电阻的电压值应大于实际电路中的电压峰值,即连续施加于压敏电阻两端的电源电压应小于压敏电阻规格中的“最大连续工作电压值(交流和直流)”。如表 1 所示,300 VAC (385 VDC) 显然不能满足 305 VAC 的长期运行。为了防止压敏电阻损坏,在输入电压波动较大的情况下,就有必要选择 10D561 压敏电阻

3.X 电容器 CX1 的标称电压选择

X2 安规电容器的标称电压一般为 275 V、305 V 或 310 V,这些电压实际上是通用的。由于不同国家/地区的标称电压要求不同以及安全法规不同,X2 的标签并不一定准确。例如,中国 CQC 认证所要求的标称电压是 310 VAC,而其他国家/地区则是 275 V、305 VAC 和 310 VAC。在输入电压波动较大的情况下,最好使用 310 V 的 X 电容器。

4.桥式整流器 BD1 的标称电压选择

当 VIN = 264 VAC 时,桥式整流二极管的最大应力应该是:Vmax1 = 264 × √2 = 373 V。

当 VIN = 305 VAC 时,桥式整流二极管的最大应力应该是:Vmax2 = 305 × √2 = 431 V。

由于开关电源需要做雷击电涌测试,因此一般会选择标称电压大于 600 V 的桥式整流器。为了满足更恶劣的电涌环境,也可以选择 1000 V 的桥式整流器。

5.电解电容器 C1 的标称电压选择

当 VIN = 264 VAC 时,该电解电容器的最大应力应该是:Vcmax1 = 264 × √2 = 373 V。

当 VIN = 305 VAC 时,该电解电容器的最大应力应该是:Vcmax2 = 305 × √2 = 431 V。

在输入电压波动较大的情况下,应选择 450 V 的电解电容器。

6.MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择

MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于:

VIN 指的是输入电压,最大输入电压为 431 V。

VOR 是反射电压,一般为 60-120 V,与初级和次级的匝数比呈正相关性。通过优化设计,这可以假设为 80 V 或更低。

VPK 是由电感产生的峰值电压,一般在 100 V 左右;通过优化漏电感和吸收率参数,可以取为 80 V 或更低。

因此,MOS 晶体管 Q1 的工作电压压力应该是:431 + 120 + 100 = 651 V。经过优化后,Q1 的工作电压应力可以是:431 + 80 + 80 = 591 V。因此,考虑到 305 VAC 输入的电涌,为了保证 MOS 晶体管可靠工作,至少应选择 700 V 的 MOS 晶体管,但在优化变压器的匝数比和漏电感后,也可以选择 650 V 的 MOS 晶体管。

7.二极管 D1 的标称电压选择

二极管电压应力的计算公式为:

VD-PK 指的是由次级漏电感产生的峰值电压。由于它受不同的输出电压和吸收率参数的影响很大,因此计算方法一般为:

假设输出电压为 12 V (VO = 12 V),二极管的漏感峰值为 30 V (VD-PK = 30 V),MOS 晶体管的漏电感峰值为 80 V (VPK = 80 V),计算如下:


匝数比
109876

VIN = 373 V

VD

79.3 V

83.4 V

88.6 V

95.3 V

104.2 V

Vmos

573 V

561 V

549 V

537 V

525 V

VIN = 431 V

VD

85.1 V

89.8 V

95.8 V

103.5 V

113.8 V

Vmos

631 V

619 V

607 V

595 V

583 V

表 2:匝数比、MOS 晶体管和二极管之间的电压应力关系。(图片来源:Mornsun Power)

从表 2 可以看出,传统的开关模式电源只考虑 373 V 的输入电压 (VIN = 373 V),而 MOS 晶体管和二极管的数值会相对较小,因而无法用于 431 V 的输入电压。一旦输入电压超过 373 V,就会有损坏的风险。

综上所述,以输出电压 12 V 为例,在电涌或输入 305 VAC 的情况下,为了保证二极管可靠工作,至少应选择 150 V 的二极管。然而,通过优化变压器的匝数比和漏电感,也可以选择 100 V 的二极管。

输入过压的防护要求

根据上述计算,输入过压的最佳处理方法是优化元器件的电压应力,如元器件选择 Mornsun 的 305RAC(所有条件下都可靠)电源。


丝网印刷

元器件名称

主流电源

305RAC 电源
F1 保险丝 250 V 300 V
RV1 压敏电阻 470 V 560 V
CX1 X 电容器 275 V 310 V
BD1 整流桥 600 V 或 800 V 1,000 V
C9 大电解电容器 400 V 450 V
Q1 MOS 晶体管 600 V >e;650 V
D22 二极管 100 V 150 V

表 3:Mornsun 的 305RAC 和主流电源在若干不同标称电压下的比较。(图片来源:Mornsun Power)

同时,可以通过增加内部电气间隙和爬电距离来保持高压线之间的安全距离,避免电弧对原型造成损坏或给人员带来危险。

图 3:反激式原理图显示为避免产生电弧的电路走线安全距离(见表 4)。(图片来源:Mornsun Power)

标记号 名称 主流电源的电气间隙/爬电距离 305 RAC 电源的电气间隙/爬电距离
①② L-N 2.0 mm / 2.5 mm 2.0 mm / 3.2 mm
初级侧 – 次级侧 4.6 mm / 6.4 mm 4.6 mm / 8.0 mm
在桥式整流器前,LN-PE 2.0 mm / 2.5 mm 2.0 mm / 3.2 mm
在桥式整流器后,LN-PE 2.0 mm / 2.8 mm 2.0 mm / 3.2 mm
VO-PE 3.6 mm / 5.5 mm 4.0 mm / 6.4 mm

表 4:针对图 3 中的电路对主流电源和 305RAC 电源的电气间隙/爬电距离之比较。(图片来源:Mornsun Power)

总结

输入过压会损坏电源并对人员造成伤害。如何避免输入过压?通过对电源元器件进行电压应力分析,确定了开关模式电源的关键元器件选型指南。同时,增加电源的内部电气间隙和爬电距离,也有利于优化电压应力。

通过比较主流电源和 Mornsun “305 RAC” 电源之间元器件的标称电压、电气间隙和爬电距离,305 RAC 交流/直流电源的功能可以有效地防护输入过压。此外,该电源还适用于对温度、湿度、海拔、EMC 干扰等环境工作要求较高的恶劣和特殊环境。

小编的话:

通过本文的介绍,我们了解到如何通过电压应力分析解决输入过压这一常见问题,并由此确立开关电源关键元器件的选型,以及如何通过增加电源的内部电气间隙和爬电距离,来优化电压应力。您在开发开关电源的过程中是如何解决输入过压的问题?您在进行开关电源设计中的关键元器件选型时有哪些痛点或经验?欢迎分享和交流!

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一周新品推荐:英飞凌功率集成模块FP25R12W1T7_B11和Microchip ATtiny1627 Curiosity Nano评估套件

关键词:功率集成模块,IGBT,评估套件

产品一:英飞凌功率集成模块FP25R12W1T7_B11 

FP25R12W1T7_B11是英飞凌推出的1200 V、25 A  基于EasyPIM™ 1B封装的集成三相整流与逆变单元PIM(功率集成模块) IGBT模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术,模块内集成有NTC。

产品特性

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  • 过载时Tvj op=175°C
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性能优势

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  • 实现损耗与EMI之间的最佳平衡
  • 降低系统成本

适用范围

  • 采暖通风与空调(HVAC)
  • 电机控制和驱动
  • 伺服电机

产品二:Microchip ATtiny1627 Curiosity Nano评估套件

ATtiny1627 Curiosity Nano套件 (DM080104) 是一款Microchip Technology推出的用于评估tinyAVR® 2系列微控制器的紧凑型硬件平台。 ATtiny1627 Curiosity Nano由Atmel Studio和Microchip MPLAB® X集成开发环境 (IDE) 提供支持, 可轻松访问ATtiny1627的各项特性,从而充分了解如何将该器件集成到定制设计中。

Microchip 的 Curiosity Nano评估板包括一个板载调试器,用户无需任何其他工具即可对目标器件进行编程和调试。

产品特性

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  • 板载调试器
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  • USB供电
  • 可调目标电压
  • MIC5353 LDO稳压器,由板载调试器控制
  • 输出电压范围:1.8V至5.1V(受USB输入电压限制)
  • 最大输出电流:500mA

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用好连接器 搞清这三个电压真的很重要

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问:击穿电压、 绝缘介质耐电压和额定电压之间的区别

有时,您可能会发现某些产品的测试报告中提到以下三个额定电压。
例如,Samtec 电缆 SEAC-040-06-12.0-TU-TU 的测试报告

Samtec 电缆  SEAC-040-06-12.0-TU-TU

Samtec 电缆  SEAC-040-06-12.0-TU-TU

一般定义

击穿电压: 产品的失效电压。 它也被称为失效电压。

绝缘介质耐电压 DWV): 击穿电压的 75%。 它是产品应测试的无损电压。 它也被称为耐受电压或测试电压。

额定电压(DWV 1/3): 产品应使用的最大连续电压。 它也被称为工作电压或操作电压。

更多连接器规范的技术信息, 请查看以下内容:

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