a. 先打开STM32CubeMX配置.ioc 文件(如果还未打开的话)。随后,STM32CubeIDE将切换到*器件配置工具(*Device Configuration Tool ) 视图,供你配置MCU。
b. 将定时器通道备用功能分配给选定的GPIO引脚,以与NeoPixel进行连接。所选定时器通道应该能够生成PWM输出。图5显示了我的项目中的相关部分,我选择了引脚PB10,并将它分配给定时器2、通道3(TIM2_CH3)功能。
图 5 : 将连接到DIN的GPIO引脚配置为定时器通道。
c. 从左侧的组件列表中选择上一步中确定的定时器外设,以打开模式和配置(*Mode and Configuration ) 面板。在模式(*Mode ) 面板中,选择“内部时钟”作为时钟源,并从适当的定时器通道的下拉列表中选择“PWM生成CHx”。在图6中,定时器2、通道3已设为“PWM生成CH3”模式,因为我在上一步中选择了TIM2_CH3备用功能。请注意,在完成此步骤后,关联的GPIO引脚应在引脚排列视图中从黄色变为绿色。
d. 在定时器的*配置(*Configuration ) 面板中,验证“预分频器”和“脉冲”值是否都设置为0。计数器周期,即自动重载寄存器(ARR),需要进行设置以得到所需的PWM周期(如果使用RGB WS2812 LED,则为1.25μs; 如果使用RGBW SK6812 LED,则为1.2μs)。这将取决于定时器外设输入的速率。只需将所需的PWM周期除以时钟周期,并减去1即可得到此值(减去1是因为定数器从0开始)。就我的器件而言,该公式得出的ARR值为99.8,我将其四舍五入为100(图6)。请参见下文,了解有关计算理想ARR值的详细说明。
图 6 : 将所选定时器通道配置为PWM输出。
计算ARR值
假设定时器“预分频器”值设为0,可以很容易的计算出ARR值
ARR= −1= −1
具体来说,ARR值等于PWM信号周期除以定时器外设的时钟信号周期。我们知道,根据使用的NeoPixel类型不同,TPWM可以是1.25μs或1.2μs(例如本例中,TPWM=1.2μs)。要确定Ttimer,你需要查阅器件的规格书,确定定时器外设连接到哪个总线。规格书可以在ST的网站上找到或STM32CubeIDE会随附提供:选择帮助>目标器件文档和资源( Help > Target Device Docs and Resources ) 。然后,在MCU 选项卡下选择规格书,如图7所示。
a. 在main.c 文件的私有typedef部分,你可以创建一个新的数据类型,以便轻松访问单个LED颜色值以及整个NeoPixel数据结构(如图1和图3所示)。列表1提供了RGB和RGBW NeoPixel组件的typedef。此代码应粘贴在/* USER CODE BEGIN PTD */ 和/* USER CODE END PTD */ 注释之间。
列表 1 : 为RGB WS2812和RGBW SK6812 LED自定义数据类型
typedef union
{
struct
{
uint8_t b;
uint8_t r;
uint8_t g;
} color;
uint32_t data;
} PixelRGB_t;
typedef union
{
struct
{
uint8_t w;
uint8_t b;
uint8_t r;
uint8_t g;
} color;
uint32_t data;
} PixelRGBW_t;
b. 更改“脉冲”寄存器(也称为CCRx)的值,这样可以改变PWM波形的占空比。因此,我们必须计算适当的CCRx值,以实现使用的NeoPixels所需的代码0和代码1方波(无论是在图2还是图4中所示的那些)。对于RGB WS2812 LED,这些值计算如下:
PUE 指标是一个基本的统计数据,足以确定发展方向。尽管不是一个完美的衡量标准,但它已经成为一个行业标准。PUE 最好接近统一,这意味着数据中心只需要电力来支持其 IT 需求。然而,根据国家可再生能源实验室 (NREL)2 的数据,平均 PUE 约为 1.8。数据中心的 PUE 值范围很广,但注重效率的数据中心经常达到 1.2 或更低的 PUE 值。
采用更有效的功率器件,如用 WBG 半导体代替硅,就是一个更有效的选择。像 GaN 和 SiC 这样的 WBG 半导体可以克服硅技术的限制,提供高击穿电压、高开关频率,降低传导和开关损耗,从而实现更好的散热和更小的外形尺寸(见图 1)。这使得电源和电源转换阶段的效率更高。如上所述,在数据中心中,即使效率提高一个百分点,也可以转化为大量的能源节约。
基于 SiC 的不间断电源的另一个优势是具有更好的热损值(或排热),并使之能够在更高的温度下运行。这一特性能够让设计者采用更加紧凑和经济的冷却解决方案。总的来说,基于 SiC 的 UPS 比采用硅基元件的同等型号更高效、更轻、更小。
基于 SiC 的半导体由于其固有的特性,相比传统硅半导体可以在更高的温度下工作。由于 UPS 的热损耗较低,并能在较高温度下运行,因此客户的冷却成本可以降低。
当需要最大限度地利用数据中心的可用空间时,与传统的硅基 UPS 相比,基于 SiC 的 UPS 减少了重量和尺寸。此外,基于 SiC 的 UPS 需要的地面空间更少,这也增加了特定区域内的可用电力容量。
结语
总之,像 GaN 和 SiC 这样的 WBG 材料,是新兴的半导体,将为数据中心等高要求应用开辟一个新的电力电子发展航道。其优势全面,包括提高系统效率,降低冷却系统要求,在更高温度下运行,以及更高的功率密度。随着 GaN 和 SiC 功率器件集成到电压转换器和电源中,能帮助数据中心运营商实现了更高的效率,最大限度地利用地面空间并降低整个设施的运营成本。
TE 的 HTU31D 提供了一个直接的电气和功能接口,但采用任何高敏感度的传感器都需要仔细的物理设计,以避免因与板上其他设备的电气或热相互作用而产生测量伪影。同样,在实现命令序列协议或值转换等式方面时出错也会拖延不断演进的产品中的湿度和温度传感功能的评估和原型设计。MikroElektronika 提供的扩展板和相关软件允许开发人员绕过潜在实现问题,并能立即开始设计和开发。
快速原型设计和加速开发
MikroElektronika MIKROE-4306 基于 HTU31D 的 Temp & Hum 14 Click 扩展板完整实现了传感器电气接口(图 3,左),它安装在一块尺寸为 28.6 x 25.4 mm 的电路板上(图 3,右)。
功率等于电流乘以电压(P = I x V)。人们会认为,只要两个变量保持恒定,那么剩余的变量就会保持不变。如果不考虑热逸溃的问题,那这么说也没错。当LED长时间打开或在温暖的环境中运行时,正向电压降会降低,并会抬高LED电流超过其额定值。这是二极管(LED)在照明系统中用作为“负载”时面临的主要问题。