高速度、高功率、小尺寸、低功耗……这款GaN FET，堪称氮化镓功率器件典范！

功率电子技术正朝向更高的功率密度、高快的开关速度、更小的器件体积这个趋势发展，而传统的硅基器件已经接近了物理性能的天花板，很难有大幅提升的空间，因此基于氮化镓（GaN）等第三代宽禁带半导体材料的新型器件成为研发的重点，相关的应用开发活动也十分活跃。

EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管（eGaN FET）就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。

EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET，该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95mm，仅以钝化芯片形式提供，带有焊锡条。该器件的导通电阻仅有3.2mΩ，与前代eGaN FET相比降低了接近20%，显著减少了功耗并提高了额定直流功率。

与硅基MOSFET相比，EPC2218的栅极电荷（Q_G）更小，并且没有反向恢复电荷（Q_RR），因此可以实现更快的开关速度和更低的功耗。

EPC2218非常适合于48 V_OUT同步整流、D类音频、信息娱乐系统、DC/DC转换器以及自动驾驶汽车、机器人和无人机的LiDAR的应用。

器件特性

• 更高的开关频率：更低的开关损耗和更低的驱动功率
• 效率更高、传导和开关损耗更低、反向恢复损耗为零
• 占板面积更小，功率更高

典型应用

• DC/DC转换器
• BLDC电机驱动器
• AC/DC和DC/DC的同步整流
• 激光雷达/脉冲功率
• 负载点 (POL) 转换器
• D类音频
• LED照明

→ 获取EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管的详细技术信息，请点击这里>>

———————————————————–

如有任何问题，欢迎联系得捷电子Digi-Key客服团队。

中国(人民币)客服
－ 400-920-1199
－ service.sh@digikey.com
－ QQ在线实时咨询 |QQ号：4009201199


中国(美金)／ 香港客服
－ 400-882-4440
－ 8523104-0500
－ china.support@digikey.com