关键词：电容，电源管
近年来，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体技术发展十分迅速，越来越多地出现在需要高电压、高频率、高工作温度的应用中。而这些先进的半导体技术的发展和应用，也对与其配套使用的外围元件（如电容器）的性能提出了更高的要求。
KEMET 的KC-LINK表面贴装电容器，就为了满足日益增长的宽带隙 (WBG) 半导体器件的需求而设计可制造的。
通过利用KEMET强大且专有的C0G/NPO贱金属电极 (BME) 电介质系统，这些电容器非常适用于要求高能效的电源转换器、逆变器、吸收电路和谐振器应用。凭借极低的有效串联电阻 (ESR) 和较低的热阻，KC-LINK电容器可以在非常高的纹波电流下工作，电容相对DC电压无变化，且电容相对温度的变化可忽略不计。
KC-LINK电容系列产品
KC-LINK电容器可在高至+150°C的温度下工作，因此其在需要最少冷却部件的高功率密度应用中，可以安装在快速开关半导体器件附近。与其他电介质技术相比，KC-LINK C0G电介质技术还具有很高的机械坚固性，可以在不使用引线框架的情况下安装电容器。这提供了极低的有效串联电感 (ESL)，从而增大了工作频率范围，并获得进一步的小型化优势。
KC-LINK电容典型的性能
KC-LINK电容的特性和优势
- 获得AEC-Q200汽车级认证
- 较高纹波电流能力
- 极低的有效串联电阻 (ESR)
- 极低的有效串联电感 (ESL)
- 工作温度范围为-55°C至+150°C
- 高频工作 (> 10MHz)
- 电容不随电压变化
- 无压电噪声
- 热稳定性高
- RoHS无铅
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