关键词: mos管
低侧驱动
在低侧驱动配置中，N 沟道 MOSFET 置于负载与地之间（负载在上，MOSFET 在下）。栅极直接由微控制器（MCU）或驱动器的输出电压控制。该拓扑适用于 LED 调光、电机启动、开关控制、电源管理以及大多数脉冲宽度调制（PWM）控制场景（如降压转换器）。
- 驱动电路简单，可直接由 MCU 控制
- 开关速度快
- N 沟道 MOSFET 成本低且导通电阻（RDS (on)）小
- 地侧可能出现电流尖峰，影响信号质量（需进行地隔离和滤波）
- 不适用于高侧功率开关
设计低侧驱动时需关注以下要点：
- 选择合适的 MOSFET：确保其阈值电压（Vth）低于驱动电压以实现完全导通，同时选择低导通电阻（RDS (on)）的 MOSFET，减少功率损耗和发热。
- 驱动电压和电流：保证驱动电压足够使 MOSFET 完全导通。
- 栅极电阻：使用合适的栅极电阻控制 MOSFET 的开关速度，降低电磁干扰（EMI）并防止栅极振荡。
- 下拉电阻：在栅极处设置下拉电阻，防止误触发。驱动器关闭时，下拉电阻可确保 MOSFET 保持关断状态，避免因电压悬浮导致意外导通。
- PCB 布局与接地：最小化环路面积以降低 EMI，确保驱动器和功率 MOSFET 的接地连接良好，避免地电位差引发问题。
示例
TI UCC27324 高速双 MOSFET 驱动器适用于高速开关应用，可提供高达 4A 的峰值源电流和灌电流。输出级还可并联以提供更高的单通道驱动功率。
为更好地理解有效的布局方案，以下是 TI UCC27324DR 的推荐 PCB 布局，展示了最小化环路面积的实用技巧：
- 上下层 PCB 走线布局：栅极驱动走线（红色，含串联栅极电阻）和返回走线（蓝色）直接上下对应但位于双层 PCB 的相反面。
- 直流旁路电容就近放置：并联两个电容以在宽频率范围内提供低阻抗，较小的近侧电容用于处理高频瞬态信号。
- 使用双过孔提供低阻抗路径，最小化返回环路中的寄生电感。
在所有情况下，信号与返回路径之间的环路面积需尽可能小，这是高速开关环境中抑制辐射发射的关键。
技术小贴士：环路面积与射频（RF）设计中的天线理论密切相关。大环路面积如同高效天线，会辐射 EMI。因此，减小环路面积是 PCB 布局中抑制辐射发射的最有效方法之一。
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