#关键词： 碳化硅MOSFET, SiC MOSFET, 碳化硅
随着电动汽车、新能源、数据中心等新兴应用的发展，人们对于更高效率、更高频率、更高功率密度的功率半导体器件的要求也在不断提升，尽管传统基于硅材料的功率器件性能也在不断进步，但是以碳化硅 (SiC)为代表的第三代宽禁带半导体被认为才是“终极”解决方案。
因此，各个半导体厂商SiC产品的研发也在加速。比如安森美半导体（ON Semiconductor）最新推出的SiC MOSFET，该器件与传统硅器件相比，可提供更高的功率密度和卓越的开关性能，而且低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。与此同时，该SiC器件还可有效减少电磁干扰(EMI)，消除了设计过程中的一些未知因素，增强了系统可靠性。
安森美半导体新推出的SiC MOSFET包括两款器件——工业级的NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1。它们与安森美半导体的SiC二极管、驱动器一起，正发展成一个整体SiC生态系统的。
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产品特性
- 额定1200V
- VGS = 20V、ID = 20A时，最大RDS(on) = 110mΩ
- 高速开关和低电容
- 100%通过UIL测试
- 根据AEC-Q101，符合汽车要求
典型应用
- PFC
- OBC
- 升压逆变器
- 电动汽车充电
- 最终产品
- 用于EV/PHEV的汽车DC/DC转换器
- 汽车车载充电器
- 汽车辅助电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 网络电源
- 服务器电源
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